Исследование входных и выходных характеристик биполярного транзистора на экране осциллографа. Тест
30 вопросов по данной теме с ответами.
- Транзистор — это …
- Структурная схема биполярного транзистора p-n-p типа, имеет вид…
- В обозначении транзистора на принципиальньной схеме стрелка направляется от …
- Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером — это…
- Схема подключения приборов для снятия выходной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером имеет вид…
- Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером имеет вид…
- Входная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером — это…
- Схема подключения приборов для снятия входной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером имеет вид…
- Входная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером имеет вид…
- Инверсный режим работы биполярного транзистора — это…
- Режим насыщения при работе биполярного транзистора — это…
- Активный режим работы биполярного транзистора — это…
- Режим отсечки при работе биполярного транзистора — это…
- Площадь коллекторного перехода делается значительно больше площади эмиттерного для того, чтобы…
- Сопротивление эталонного резистора в схеме для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора определяется следующем образом…
- Прямое напряжение эмиттерного перехода биполярного транзистора существенно влияет на токи эмиттера и коллектора следующим образом…
- Сопротивление резистора Rэ, в схеме для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора, необходимо выбрать как можно меньше, это следует из…
- Резистор Rэ, в схеме для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора, вместе с входом «У» осциллографа, выполняет функции…
- Биполярный транзистор n-p-n типа на принципиальной схеме имеет вид…
- Схема включения с общей базой, для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора имеет следующие достоинства:
- Структурная схема биполярного транзистора n-p-n типа, имеет вид…
- Биполярный транзистор p-n-p типа на принципиальной схеме имеет вид…
- Параметр h21 биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером определяется по графикам следующим образом…
- Коллекторным переходом биполярного транзистора называют…
- Эмиттерным переходом биполярного транзистора называют…
- Схема включения с общим коллектором, для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора имеет следующие достоинства:
- Толщину базы биполярного транзистора делают тонкой для того, чтобы…
- Схема включения с общим эмиттером, для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора имеет следующие достоинства:
- Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером — это…
- Параметр h22 биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером определяется по графикам следующим образом…
трехэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит два электронно-дырочных перехода.
от области p типа в область n типа.
зависимость тока коллектора Ik от напряжения коллектор-эмиттер Ukэ при различных постоянных значениях тока базы.
зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при постоянном напряжении Ukэ.
режим, при котором напряжение на эмиттерном переходе – обратное, а на коллекторном – обратное.
режим, при котором напряжение на эмиттерном и коллекторном переходе — прямое.
режим, при котором напряжение на эмиттерном переходе прямое ,на коллекторном – обратное.
режим, при котором напряжение на эмиттерном и коллекторном переходе прямое.
перехватить весь поток носителей, идущих от эмиттера, а также потому, что на коллекторном переходе выделяется большая мощность.
чем больше это напряжение, тем больше токи эмиттера и коллектора.
общих требований к измерительным приборам (любой измерительный прибор включаемый в цепь не должен нарушать работы цепи).
амперметра — прибора для измерения силы тока.
хорошие температурные и частотные свойства.
p-n переход между коллектором и базой.
p-n переход между эмиттером и базой.
Большое входное сопротивление и малое выходное сопротивление.
Свести до минимума рекомбинацию неосновных носителей с основными, пришедшими из эмиттера, что позволяет увеличить скорость движения электронов.
Большой коэффициент усиления по току, большое входное сопротивление, можно использовать одним источник питания.
Отношение малого тока коллектора к малому току базы, при постоянном значении напряжения коллектор-эмиттер, и зависит от тока коллектора.