Исследование входных и выходных характеристик биполярного транзистора на экране осциллографа. Тест



30 вопросов по данной теме с ответами.

  1. Транзистор — это …
  2. трехэлектродный полупроводниковый прибор, структура которого содержит два электронно-дырочных перехода.

  3. Структурная схема биполярного транзистора p-n-p типа, имеет вид…
  4.  

    Транзистор p-n-p типа

  5. В обозначении транзистора на принципиальньной схеме стрелка  направляется от …
  6. от области p типа в область n типа.

  7. Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером — это…
  8. зависимость тока коллектора Ik от напряжения коллектор-эмиттер Uпри различных постоянных значениях тока базы.

  9. Схема подключения приборов для снятия выходной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером  имеет вид…
  10. Схема подключения приборов

  11. Выходная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером  имеет вид…
  12. Выходная характеристика биполярного транзистора

  13. Входная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером —  это…
  14. зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при постоянном напряжении U.

  15. Схема подключения приборов для снятия входной характеристики биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером  имеет вид…
  16. Схема включения с общим эмиттером

  17. Входная характеристика биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером  имеет вид…
  18. Входная характеристика биполярного транзистора

  19. Инверсный  режим работы биполярного транзистора — это…
  20. режим, при котором напряжение на эмиттерном переходе – обратное, а на коллекторном – обратное.

  21. Режим насыщения при  работе  биполярного транзистора — это…
  22. режим, при котором напряжение на эмиттерном  и коллекторном переходе — прямое.

  23. Активный  режим работы биполярного транзистора — это…
  24. режим, при котором напряжение на эмиттерном переходе прямое ,на коллекторном – обратное.

  25. Режим отсечки при  работе  биполярного транзистора — это…
  26. режим, при котором напряжение на эмиттерном и коллекторном переходе прямое.

  27. Площадь коллекторного перехода делается значительно больше площади эмиттерного для того, чтобы…
  28. перехватить весь поток носителей, идущих от эмиттера, а также потому, что на коллекторном переходе выделяется большая мощность.

  29. Сопротивление эталонного резистора в схеме для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора определяется следующем образом…
  30. где z – число вольт на деление, N - число клеток, которые занимает ВАХ транзистора на экране осциллографа.

  31. Прямое напряжение эмиттерного перехода биполярного транзистора  существенно влияет на токи эмиттера и коллектора следующим образом…
  32. чем больше это напряжение, тем больше токи эмиттера и коллектора.

  33. Сопротивление резистора Rэ, в схеме для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора, необходимо выбрать как можно меньше, это следует из…
  34. общих требований к измерительным приборам (любой измерительный прибор включаемый в цепь не должен нарушать работы цепи).

  35. Резистор Rэ, в схеме для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора, вместе с входом «У» осциллографа, выполняет функции…
  36. амперметра — прибора для измерения силы тока.

  37. Биполярный транзистор n-p-n типа на принципиальной схеме имеет вид…
  38. Схема включения с общей базой, для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора имеет следующие достоинства:
  39. хорошие температурные и частотные свойства.

  40. Структурная схема биполярного транзистора n-p-n типа, имеет вид…
  41. Структурная схема биполярного транзистора n-p-n типа

  42. Биполярный транзистор p-n-p типа на принципиальной схеме имеет вид…
  43. Параметр h21 биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером определяется по графикам следующим образом…
  44. Коллекторным переходом биполярного транзистора  называют…
  45. p-n переход между коллектором и базой.

  46. Эмиттерным переходом биполярного транзистора называют…
  47. p-n переход  между эмиттером и базой.

  48. Схема включения с общим коллектором, для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора имеет следующие достоинства:
  49. Большое входное сопротивление и малое выходное сопротивление.

  50. Толщину базы биполярного транзистора делают тонкой для того, чтобы…
  51. Свести до минимума рекомбинацию неосновных носителей  с основными, пришедшими из эмиттера, что позволяет увеличить скорость движения электронов.

  52. Схема включения с общим эмиттером, для снятия входных и выходных характеристик биполярного транзистора имеет следующие достоинства:
  53. Большой коэффициент усиления по току, большое входное сопротивление, можно использовать одним источник питания.

  54. Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером — это…
  55. Отношение малого тока коллектора к малому току базы, при постоянном значении напряжения коллектор-эмиттер, и зависит от тока коллектора.

  56. Параметр h22 биполярного транзистора в схеме включения с общим эмиттером определяется по графикам следующим образом…

Похожие записи:
    None Found
Запись опубликована в рубрике Физика. Добавьте в закладки постоянную ссылку.